半导体人必须知道的100个专业名词解释

1、Acetone丙酮

丙酮是有机溶剂的一种，份子式为CH3COCH3性质：无色，具剌激性薄荷臭味的液体用处：在FAB内的用处，首要在于黄光室内正光阻的清洗、擦拭毒性：对神经中枢具中度麻醉性，对皮肤粘膜具稍微毒性，持久打仗会引发皮肤炎，吸入过量的丙酮蒸气会刺激鼻、眼结膜、咽喉粘膜、甚至引发头痛、恶心、吐逆、眼花、认识不明等。答应浓度：1000ppmActiveArea自动地区MOS焦点地区，即源，汲，闸极地区2、AEI蚀刻后检查

AEI即AfterEtchingInspection，在蚀刻制程光阻去除前和光阻去除后，别离对产物实檀越检或抽样检查。AEI的目标有四：

• 进步产物良率，避免不良品外流。
• 到达品格的分歧性和制程的反复性。
• 显现制程才能的目标。
• 避免异常扩大，节省本钱

凡是AEI检查出来的不良品，非需要时很少做点窜。由于撤除氧化层或重长氧化层能够形成组件特征改变牢靠性变差、弱点密度增加。生产本钱增高，以及良率下降的弱点。3、Al-Cu-Si铝硅铜

金属溅镀时所利用的质料称号，凡是是称为Target，其成份为0.5%铜，1%硅及98.5%铝，一般制程凡是是利用99%铝1%硅．后来为了金属电荷迁移现象(Electromigration)故渗加0.5%铜下降金属电荷迁移。4、AlkalineIons碱金属雕子

如Na+，K+，破坏氧化层完整性，增加漏电密度，减小少子寿命，引发移动电荷，影响器件稳定性。其首要来历是：炉管的石英材料，制程气体及光阻等不纯物。5、Alloy合金

半导体制程在蚀刻出金属连线后，必须增强Al与SiO2间interface的慎密度，故停止Alloy步调，以450℃感化30min，增加Al与Si的慎密水平，避免Al层的剥落及削减欧姆打仗的电阻值，使RC的值只管削减。6、Aluminum铝

一种金属元素，质地坚固而轻，有延展性，轻易导电。普遍用于半导体器件间的金属连线，但因其易引发spike及Electromigration，故现实中会在其中加入适当的Cu或Si。7、Anneal回火

又称退火：也叫热处置，集成电路工艺中一切的在氮气等不活跃氛围中停止的热处置进程都可以称为退火。激活杂质：使不在晶格位置上的离子活动到晶格位置，以便具有电活性，发生自在载流子，起到杂质的感化。消除损伤：离子植入后回火是为了修复因高能加速的离子间接打入芯片而发生的损毁区（进入底材中的离子行进中将硅原子撞离本来的晶格位置，致使晶体的特征改变）。而这类损毁区，经过回火的热处置后即可复原。这类热处置的回火功用可操纵其温度、时候差别来控制全数或部分的活化植入离子的功用。氧化制程中的回火主如果为了下降界面态电荷，下降SiO2的晶格结构。退火方式：

• 炉退火
• 快速退火：脉冲激光法、扫描电子束、持续波激光、非相关宽带频光源(如卤光灯、电弧灯、石墨加热器、红外装备等)

8、Angstrom埃

是一个长度单元，1?=10-10米,其巨细为1公尺的佰亿分之一，约人的头发宽度的伍拾万分之一。此单元常用于IC制程上，暗示膜层(如SiO2，POLY，SIN‥)厚度时用。9、Argon氩气

氩气

10、ArcChamber弧光反应室

弧光反应室,究竟上就是一个直流式的电浆发生器。由于所操纵的电流－对－电压的地区是在弧光电浆内。

11、APM(Ammonia,hydrogen-PeroxideMixing)

又称SC-1(StandardCleaningsolution-1)首要化学试剂是NH4OH/H2O2/D.I.water,常用比率为1：1：6。能有用去向除无机颗粒，有机沉淀及多少金属玷污，去除颗粒才能随NH4OH增加而增加。

12、BackingPump辅抽泵

在高真空系统中，要想很快建立我们所需的高真空，纯真靠高真空泵是不可的（因高真空泵启动时系统必须已经在低真空条件下），所以我们在系统中加入一个辅抽泵（如油泵）,先对系统建立初真空，再由高真空泵对系统建立高真空。

13、Bake,Softbake,Hardbake烘培、软烤、预烤

烘烤（Bake）:在集成电路芯片的制造进程中，将芯片置于稍高温(60℃~250℃)的烘箱或热板上都可谓之烘烤。随其目标分歧，可区分为软烤(Softbake)与预烤(Hardbake)。软烤(Softbake):其利用机会是在上完光阻后，首要目标是为了将光阻中的溶剂蒸发去除，而且可增加光阻与芯片的附出力。预烤(Hardbake):又称为蚀刻前烘烤(pre-etchbake)，首要目标为去除水气，增加光阻附着性，特别在湿蚀刻(wetetching)更加重要，预烤不完全常会形成过蚀刻。

14、BarrierLayer阻障层

为了避免铝合金与硅的的打仗界面发生尖峰（spiking）现象，并下降相互的打仗电阻，在铝合金与硅之间加入一层称为阻障层的导体材料，常见的有Ti/TiN及TiW。

15、BB：Bird'sBeak鸟嘴

在用Si3N4作为掩膜建造fieldoxide时，在Si3N4覆盖区的边沿，由于氧或水气会透过PadOxideLayer分散至Si-Substrate概况而构成SiO2，是以Si3N4边沿向内会发生一个鸟嘴状的氧化层，即所谓的Bird'sBeak。其巨细与坡度可由改变Si3N4与PadOxide的厚度等到FieldOxidation的温度与厚度来控制。

16、Boat晶舟

Boat原意是单木舟。在半导体IC制造进程中，常需要用一种工具作芯片传送及加工，这类承载芯片的工具，我们称之为Boat。一般Boat有两种材质，一是石英（Quartz），另一碳化硅（SiC）。SiCBoat用在温度较高(Drivein)及LPSiN的场所。

17、BOE(Buffer Oxide Etching)

B.O.E.是HF与NH4F依分歧比例夹杂而成。6:1BOE蚀刻即暗示HF:NH4F=l:6的成份夹杂而成。HF为首要的蚀刻液，NH4F则做为缓冲剂利用。操纵NH4F牢固[H']的浓度，使之连结一定的蚀刻率。HF会腐蚀玻璃及任何硅石的物资，对皮肤有激烈的腐蚀性，不谨慎被溅到，利用大量冲洗。

18、BoundaryLayer鸿沟层

假定流体在芯片概况流速为零，则流体在层流区及芯片概况将有一个流速梯度存在，称为鸿沟层（BoundaryLayer）

19、BPSG(boron-phosphor-silicate-glass)

BPSG:为硼磷硅玻璃，含有B,P元素的SiO2,加入B,P可以下降Flow温度，而且P吸附一些杂质离子，活动性比力好，作为ILD的平展化介质。

20、BreakdownVoltage解体电压

左图是一个典型PN二极管的电流对电压曲线，由于只要在加正向电压时才导通，但倘使施加的反向电压太高且跨越一特定临界值时，反向电流将急剧上升，这个现象称为电解体。而使解表现象发生的临界电压称为解体电压，如图中的VBD。

21、BufferLayer缓冲层

凡是此层堆积于两个热收缩系数相差较大的两层之间,缓冲两者因间接打仗而发生的应力感化。我们制程最多见的缓冲层即SiO2，它用来缓冲SiN4与Si间接打仗发生的应力，从而提升Si3N4对Si概况附着才能。

22、C1clean

Clean的一种制程，它包括DHF(稀释HF)---APM(NH4OH-H2O2-H2Omixed)---HPM(HCl-H2O2-H2Omixed)

23、Burnin预烧实验

「预烧」(Burnin)为牢靠性测试的一种，旨在检验出那些在利用早期即损坏的产物，而在出货前予以剔除。预烧实验的作法，乃是将组件(产物)置于高温的情况下，加上指定的正向或反向的直流电压，如此残留在晶粒上氧化层与金属层的外来杂质离子或腐蚀性离子将轻易游离而使故障形式(FailureMode)提早显现出来，到达挑选、剔除「早期短命」产物的目标。预烧实验分为「静态预烧」(StaticBurnin)与「静态预烧」(DynamicBurnin)两种，前者在实验时，只在组件上加上额定的工作电压及消耗额定的功率。尔后者除此外并有仿真现实工作情况的讯号输入，故较接近现实况，也较严酷。根基上，每一批产物在出货前，皆须作百分之百的预烧实验，但由于本钱及交货期等身分，有些产物就只作抽样(部分)的预烧实验，通事后才货。别的，对于一些我们以为它品格够稳定且够水准的产物，亦可以抽样的方式停止。固然，具有高相信度的产物，皆须经过百分之百的预烧实验

24、CarrierGas载气

用以照顾一定制程反应物（液体或气体）进反应室的气体，例如用N2照顾液态TEOS进炉管，N2即可称为载气。

25、Chamber真空室，反应室

专指一密闭的空间，而有特别的用处、诸如抽真空，气体反应或金属溅镀等。是以常需对此空间的各种外在或内在情况加以控制；例如外在粒子数(particle)、湿度等及内在温度、压力、气逞流量、粒子数等到达最好的反应条件。

26、Channel通道;缝道

当在MOS的闸极加上电压（PMOS为负，NMOS为正）。则闸极下的电子或电洞会被其电场所吸引或排挤而使闸极下的地区构成一反转层(Inversionlayer)。也就是其下的半导体p-type酿成N-typeSi，N-type酿成p-typeSi，而与源极和汲极成同type，故能导通汲极和源极。我们就称此反转层为"通道"。信道的长度"ChannelLength"对MOS组件的。参数有着极重要的影响，故我们对POLYCD的控制需要很是谨慎。

27、通道阻绝植入

在集成电路中，各电晶体彼其间则以场氧化层（FOX）加以隔离的，由于场氧化层上方常有金属导线经过，为了避免金属层，场氧化层，底材硅发生类似NMOS的电容效应，场氧化层下方的地区常掺有掺质浓度很高的P型层，以避免类似NMOS的反转层在场氧化层下发生，而破坏电晶体间的隔离。这层P型层凡是称为"ChannelStop",这层掺质是以离子植入（Implantation）的方式完成的，所以称为通道阻绝植入。

28、化学机械研磨法

随着用以隔离之用的场氧化层（FOX）,CMOS电晶体，金属层及介电层等组成IC的各个结构在芯片上建立以后，芯片的概况也将随之变得高低凸凹不服坦，致使后续制程变得加倍困难。而传统半导体制程用以履行芯片概况平展化的技术，以介电层SiO2的平展为例，计有高温热流法、各类回蚀技术及旋涂式玻璃法。当VLSI的制程推动到0.35以下后，以上这些技术已不能满足制程需求，故而也就发生了CMP制程。所谓CPM就是操纵在概况布满研磨颗粒的研磨垫（polishingpad），对凸凹不服的晶体概况，藉由化学助剂（reagent）的帮助，以化学反应和机械式研磨等两重的加工行动，来停止其概况平展化的处置。

29、电荷堕入

无特定散布位置，主如果由于MOS操纵时发生的电子或电洞被氧化层内的杂质或不饱和键所捕陷形成。可以经过适当的回火来下降其浓度。

30、化学气相堆积

介入反应的气体从反应器的主气流里藉着反应气体在主气流及芯片概况的浓度差，以分散的方式经过鸿沟层传递到芯片的概况。反应物在概况相会后藉着芯片概况供给的能量，堆积反应发生。反应完成后，反应的副产物及未介入反应的反应气体从芯片概况吸解并进入鸿沟层，最落后入主气流并被抽气装配抽离。

化学气相堆积的五个首要的步调。

1. 反应物以分散经过界面鸿沟层
2. 反应物吸附在晶片概况
3. 化学堆积反应发生
4. Byproduct及部分天生物以分散经过界面鸿沟层
5. Byproduct及部分天生物与未反应物进入主气流里,并分开系统

31、晶粒

一片芯片(OR晶圆，即Wafer)上有很多不异的方形小单元，这些小单元即称为晶粒。同一芯片上的每个晶粒都是不异的机关，具有不异的功用，每个晶粒经包装后，可制成一颗颗我们平常生活中常见的IC，故每一芯片所能制造出的IC数目是很可观的。一样地，假如因制造的疏忽而发生的弱点，往住就会涉及成百成千个产物。32、干净室

又称无尘室。半导体加工的情况是高净化空间，恒温恒湿，对微粒要求很是高。常用class暗示品级（class1即一立方米直径大于0.5微米的微粒只要一颗）。33、CMOS

金属氧化膜半导体(MOS,Metal-OxideSemicoductor)其制造法式及先在单晶硅上构成绝缘氧化膜，再堆积一层复晶硅(或金属)做为闸极，操纵加到闸极的电场来控制MOS组件的开关(导电或不导电)。依照导电载子的品种，MOS又可分红两品种型:NMOS(由电子导电)和PMOS(由电洞导电)。

而互补式金氧半导体(CMOS,ComplementaryMOS）则是由NMOS及PMOS组合而成，具有省电，抗噪声才能强、α一Particle免役力好等很多优点，是超大范围集成电路(VLSI)的支流。

34、CDA紧缩枯燥空气

凡是指压力在60到110psi之间的空气，作为控气动阀的领气阀的气体源。

35、挤压应力

36、Compressor紧缩机

将空气紧缩构成高压气体的装备。

37、恒定源

凡是杂质在半导体高温分散有两种方式:Constant-Surface-ConcentrationDiffusion(恒定源分散):ThevaporsourcemaintainsaconstantlevelofsurfaceconcentrationduringtheentireDiffusionperiod(likePOCl3dope)这个分散形式，是假定离子在界面上所具有的浓度，并不随分散的停止而改变。且一向为一个定值所建立。换句话说，不管离子的分散延续多久，离子在界面上的浓度将保持在一个定值下。Constant-Total-DopantDiffusion(限制源分散):Afixedamountofdopantisdepositedintothesemiconductorsurfaceinthinlayer,andthedopantsubsequentlydiffuseintothesemiconductor(likeionimplantation,drivein)

38、CROSSSection横截面

IC的制造，根基上是由一层一层的图案聚积上去，而为了领会聚积图案的结构，以改良制程，或处理制程题目，以电子显微镜(SEM)来观察，而切割横截面，观察横截面的方式，是其中较为普遍的一种。

39、高温泵

将一个概况温度降到极低，甚至结近绝对零度时，与这个概况相打仗的气体份子，将会发生相变化，而凝聚在高温概况上，称为高温凝聚。还有一些气体虽然不能凝聚，但与高温概况打仗后，将由于概况与份子间的凡得瓦力（VanderWaalsForce）而吸附在高温概况上，且活动性大减，称为高温吸附，高温泵（CryogenicPump）就是操纵高温凝聚和高温吸附的道理，将气体份子自在器里排挤，以到达下降容器压力的目标。Cryopump道理:是操纵吸附道理而工作：Cryopump为高真空pump，应当和低真空pump配合利用，工作前真空度应当到达10-2mbar,否则没法工作。当吸附气体饱和后，要做regen,行将高温N2通入使凝聚的气体开释而排挤pump。进口处挡片吸附水泡，里面的特别气体吸附（成液态状）

40、Curing固化

当以SOG来做介电层战争展化的技术时，由于SOG是一种由溶剂与含有介电材质的材料，经夹杂而构成的一种液态介电材料，以旋涂（Spin-onCoating）的方式涂布在芯片的概况，必须经过热处置来趋离SOG自己所含的溶剂，称之为Curing.

41、CycleTime生产周期时候

指质料由投入生产线到产物于生产线产出所须的生产/制造时候。在TI-Acer，生产周期时两种诠释:一为"芯片产出周期时候"（wafer-outtime）；一为"制程周期时候"(Processcycletime)"芯片产出周期时候"乃指单一批号的芯片由投入到产出所须的生产/制造时候。"制程周期时候"则指一切芯片于单一工站均匀生产/制造时候的总和，亦即每一工站均有一均匀生产/制造时候，而各工站(重新至尾)均匀生产/制造的加总即为该制程的制程周期时候。今朝TI-AcerLineReport的生产周期时候乃探用"制程周期时候"。一般而言，生产周期时候可以以下公式大要推算之：

42、CVShift

操纵量测MOS电晶体在分歧条件下的电容－电压关系曲线，来评价MOS氧化层品格的一种技术。一般要求CVShift<0.1VC-Vshift：加电压量电容：

不竭加电压在30℃时量取一条C-V曲线，然升温至250℃再降到30℃时再量取一条C-V曲线，发现两条C-V曲线并不会完全重合，只要当C-Vshift小于0.1V方合适标准。

43、磁控DC溅镀机

为了使离子在往金属靶概况移动时获得充足的能量，除了进步极板间的电压外，还必须使离子在阴极暗区内所蒙受的碰撞次数下降，就必须下降溅渡的压力，越低越好，以增加离子的均匀自在径。这样一来，单元体积内的气体份子数下降，使得电浆里的离子浓度也下降，致使溅渡薄膜的堆积速度变慢。

44、DCPlasma直流电浆

电浆是人类近代物化史上严重的发现之一，指的是一个蒙受部分手子化的气体，气体里面的组成有各类带电荷的电子，离子，及不带电的份子和原子团等。电浆发生器的两金属极板上加上直流电压而发生的电浆我们称为直流电浆。

45、DCSputtering直流溅镀法

离开电浆的带正电荷离子，在暗区的电场的加速下，将获得极高的能量，当离子与阴电极发生轰击以后，基于能量传递的道理，离子轰击除了会发生二次电子之外，还会把电极概况的原子给"冲击"出来，称为sputtering.电极板加直流电压称为DCSputtering.先决条件：

• 两个极板必须是导体,以避免带电荷粒子在电极板概况的积累。
• 阴极为导电材料，称为靶（Target）

46、DCS

SiH2Cl2

47、DefectDensity弱点密度

"弱点密度"系指芯片单元面积上(如每平方公分，每平方英寸等)有几多"弱点数"之意，此弱点数一般可分两大类：A.可视性弱点B不成视性弱点。前者可藉由一般光学显微镜检查出来(如桥接、断线)后者则须藉助较紧密电子仪器检验(如晶格缺点)由于芯片制造进程甚为复杂冗长，芯片上弱点数愈少，产物良率品格必定愈佳，故"弱点密度"常被用来当做一个工场制造的产物品格黑白的目标。

48、Densify密化

CVD沈积后由于所沈积的薄膜(ThinFilm)的密度很低，故以高温步调使薄膜中的份子重新连系以进步其密度，此种高温步调即称为密化。密化凡是以炉管在800℃以上的温度完成，但也可在RTP(RapidThermalProcess)(快速升降温机台)完成。

49、空匮型DepletionMOS

操纵性质与增强型MOS相反，它的通道不必要任何闸极的加压（Vg）便已存在，而必须在适当的Vg下才消失。

50、堆积速度

Deposition Rate，暗示薄膜长大快慢的参数。一般单元A/min

51、DepthofWell井深

望文生义即阱的深度。经过离子植入法植入杂质如磷离子或硼离子，然后经过Drivein将离子往下推所到达的深度。

52、DesignRule设想标准

由于半导体制程技术，系一门专业、精美又复杂的技术，轻易遭到分歧制造装备制程方式(RECIPE)的影响，故在斟酌各项产物若何处置制造技术完善、成功地制造出来时，须有一套标准来做有关技术上的规定，此即"DesignRule"，其系依照各类分歧产物的需求、规格，制造装备及制程方式、制程才能，各项相关电性参数规格等斟酌，勘误了如：

• 各制程条理、线路之间间隔、线宽等的规格。
• 各制程条理厚度、深度等的规格。
• 各项电性参数等规格，以供产物设想者及制程技术工程师等人遵守、参考。

53、DHF

DiluteHF，一般用来去除nativeoxide，稀释的HF(DiluteHF)HF：H2O=1:50

54、Die晶粒

一片芯片(OR晶圆，即Wafer)上有很多不异的方形小单元，这些小单元即称为晶粒。同一芯片上的每个晶粒都是不异的机关，具有不异的功用，每个晶粒经包装后，可制成一颗颗我们平常生活中常见的IC，故每一芯片所能制造出的IC数目是很可观的。一样地，假如因制造的疏忽而发生的弱点，往住就会涉及成百成千个产物。

55、Dielectric介电材料

介于导电材料之间的绝缘材料。常用的介电材料有SiO2,Si3N4等，需要的介电材料要求：1.杰出的stepcoverage，2.低介电常数，3.高解体电压，4.低应力，5.平展性好。介电材料的性质：

• 杰出的Stepcoverage、低介电常数、平展性。
• 理想庇护层的性质
• 堆积均匀、抗裂才能、低针孔密度、能抵抗水气及碱金属离子的穿透，硬度佳。
• 首要介电材质:SiO2PSG与BPSGSi3N4

56、DielectricConstant介电常数

介电常数是表征电容性能的一重要参数，越小越好,它与导电性能成反比。

57、Diffusion分散

在一杯很纯的水上点一滴红墨水，未几后可发现水概况色彩渐渐淡去，而水面下渐渐染红，但色彩是越来越淡，这即是分散的一例。在半导体产业上常在很纯的硅芯片上以预置或离子植入的方式做分散源(即红墨水)。因固态分散比液体慢很多(约数亿年)，故以进炉管加高温的方式，使分散在数小时内完成

58、分散系数

分散系数（DiffusionCoefficient）是描写杂质在晶体平分散快慢的一个参数。这与分散条件下的温度，压强，浓度成反比。D=D0exp(-Ea/KT)D0是外插至无穷大温度所得的分散系数(cm2/s)Ea是活化能(ev)在低浓度时,分散系数对温度倒数为线性关系,而与浓度无关

59、分散炉

在半导体产业上常在很纯的硅芯片上以预置或离子植入的方式做分散源(即红墨水)。因固态分散比液体慢很多(约数亿年)，故以进炉管加高温的方式，使分散在数小时内完成。这样的炉管就叫做分散炉（DiffusionFurnace）。

60、分散式泵

经过加热油，油气蒸发高速放射进来，带出气体份子，到达抽气的目标。它可以到达10-5Torr.

61、Dimple

凹痕概况上稍微的下陷或凸起。

62、DIWater去离子水

IC制造进程中，常需要用酸碱溶液来蚀刻，清洗芯片。这些步调以后，又须操纵水把芯片概况残留的酸碱断根。而且水的用量是相当大。但是IC产业用水，并不是一般的自来水，而是自来水或地下水经过一系列的纯化而成。本来自来水或地下水中，含有大量的细菌，金属离子及Particle，经厂务的装备将之杀菌过滤和纯化后，即可把金属离子等杂质去除，所得的水即称为"去离子水"。专供IC制造的用。

63、Donor施体

我们将使原本本征的半导体发生过剩电子的杂质，称为施体。如掺入p的情况。

64、Dopant搀杂

在原本本征的半导体里自动的植入或经过分散的方式将别的的原子或离子掺入进去，到达改变其电性能的方式。如离子植入。

65、DopantDrivein杂质的赶入

我们离子植入后，一般植入的离子散布达不到我们的要求，我们经过进炉管加高温的方式将离子停止分散，以到达我们对离子散布的要求，同时对离子植入酿成的缺点停止修复。

66、搀杂源

我们将经过分散的方式停止搀杂的物资叫搀杂源，例如将Poly里掺入P的POCl3我们将其叫搀杂源（DopantSource）。

67、掺入杂质

为使组件运作，芯片必须掺以杂质（)Doping），一般常用的有：

• 预置:在炉管内通以饱和的杂质蒸气，使芯片概况有一高浓度的杂质层，然后以高温使杂质驱入，分散;或操纵堆积时同时停止预置。
• 离子植入:先使杂质游离，然后加速植入芯片。

68、Dosage剂量

暗示离子数的一个参数。

69、DRAM,SRAM静态，静态随机存取内存

随机存取记忆器可分静态及静态两种，首要的差别在于静态随机存取内存(DRAM)，在一段时候(通常为0.5ms~5ms）后，数据会消失，故必须在数据未消失前读取原数据再重写(refresh)，此为其最大弱点，此外速度较慢也是其弱点。而DRAM的最大益处为，其每一记忆单元(bit)只需一个Transistor(晶体管）+一个Capacitor(电容器)，故最省面积，而有最高的密度。而SRAM则有不需重写、速度快的优点，可是密度低，其每一记忆单元(bit)有两类:

• 需要六个Transistor(晶体管）
• 四个Transistor(晶体管）+两个Loadresistor(负载电阻)。

由于上述它优弱点，DRAM一般皆用在PC(小我计较机)或别的不需高速且记忆容量大的记忆器，而SRAM则用于高速的中大型计较机或别的只需小记忆容量，如：监视器(Monitor)、打印机(Printer)等周控制或产业控制上。

70、汲极

经过搀杂，使其电性与底材P-Si相反的，我们将其称为汲极（Drain）与源极。

71、DriveIn驱入

离子植入(ionimplantation)虽然能较切确地挑选杂质数目，但受限于离子能量，没法将杂质打入芯片较深(um级)的地区，是以需借着原子有从高浓度往低浓度分散的性质，在相当高的温度去停止，一方面将杂质分散到较深的地区，且使杂质原子占据硅原子位置，发生所要的电性，别的也可将植入时发生的缺点消除。此方式称的驱入。此法不再加入半导体杂质总量，只将概况的杂质往半导体内更深入的推动。在驱入时，常通入一些氧气﹒由于硅氧化时，会发生一些缺点，如空洞(Vacancy)，这些缺点会有助于杂质原子的分散速度。别的，由于驱入是藉原子的分散，是以其偏向性是各方均等，甚至有能够从芯片逸出(out-diffusion)，这是需要留意的

72、DryOxidation干式氧化

在通入的气体中只要氧气与载气，只要氧气与底材发生氧化反应。我们将这类氧化叫干式氧化。如我们的Gate-OX，这类方式天生的SiO2质量比力好，但天生速度比力慢。

73、Drypump

• Drypump是最根基的真空pump,它是操纵螺杆道理来工作的，它首要的特点是可以从大气压下间接起头抽气，所以可以零丁利用。
• 一般真空度要求不高（E-3torr以下）如CVD及furnace仅利用drypump即可。
• 特点：Fewermovingparts、HigherReliability、Lesscomplexity、Highspeed

1. Drypump用在chamber由大气压下间接抽真空，可以保持收支口压差105倍；
2. Drypump有电源（电源使马达带动螺杆式转子转动）；
3. 有N2purge(稀释避免particle堆积在间隙内)；
4. Collingwater(避免温度太高使pump没法运转)；

74、DummyWafer挡片

对制程起一定帮助感化的硅片，区分于产物、控片，一般对其质量要求不是很高。

• 由于炉管的两头温度不稳定，气体的流量不稳定，所以我们在Boat的两头放入不是产物的硅片，我们将这样的硅片叫挡片。
• 离子植入若产物不敷，则需补上非产物的硅片，即挡片。

74、电子/电洞

电子是组成原子的带电粒子，带有一单元的负电荷，环抱在原子核四周，构成原子。电洞是晶体中，在原子核间的同享电子，因受热干扰或杂质原子取代，电子分开原本的位置所遗留下来的"空缺"因缺少一个电子，没法保持电中性，可视为带有一单元的正电荷。76、电解体

当NMOS的沟道收缩，沟道接近汲极地域的载子将倍增，这些因载子倍增所发生的电子，凡是吸往汲极，而增加汲极电流的巨细，部分电子则足以射入闸氧化层里，而发生的电洞，将流往低材，而发生底材电流；另一部分的电洞则被源极收集，使npn现象增强，热电子的数目增加，足使更多的载子倍增，当跨越闸极氧化层的承受才能时，就击穿闸氧化层，我们将这类现象叫电解体（ElectricalBreakdown）。77、电子迁移

所谓电子迁移（Electromigration），乃指在电流感化下的金属。此系电子的动量传给带正电的金属离子所酿成的。当组件尺寸愈缩小时，相对地电流密度则越来越大;当此大电流经过集成电路中的薄金属层时，某些地方的金属离子会聚积起来，而某些地方则有金属空缺情形，如此一来，聚积金属会使邻近的导体短路，而金属空缺则会引发断路。材料搬动首要原动力为晶界分散。以溅镀法所堆积的Al，经过适当的Anneal以后，凡是是以多晶（Poly-Crystalline）形式存在，当导电时，由于电场的影响，Al原子将沿着晶粒界面（Grain-Boundary）移动。有些方式可增加铝膜导体对电迁移的抗力，例如:加入抗电移才能较强的金属，如Cu。

78、椭圆测厚仪

将已知波长的入射光分红线性偏极或圆偏极，照耀2003-7-17在待射芯片，操纵所得的分歧椭圆偏极光的强度讯号，以Fourier分析及Fresnel方程式，求得待测芯片膜厚与折射率的仪器，称为椭圆测厚仪（Ellipsometer）。简单的结构以下图所示:

79、电子迁移牢靠度测试

EM（ElectronMigrationTest）电子迁移牢靠度测试，当电流经过金属导线，使金属原子获得能量，沿区块鸿沟(GrainBoundaries)分散(Diffusion)，使金属线发生空洞(Void)，甚至断裂，构成生效。

其对牢靠度评价可用电流密度线性模子求出：AF＝[J(stress)/J(op)]n×exp[Ea/Kb(1/T(top)-1/T(stress))]

TF＝AF×T(stress)

80、能量

能量是物理学的专著名词。以下图，B比A的电压正l00伏，若在A板上有一电子受B板正电吸引而加速跑到B板，这时电子在B板就比在A板多了100电子伏特的能量。

81、增强型EnhanceMOS

|Vg|>|Vt|时，处于"开（ON）"的状态，且当|Vg|<|Vt|时，电晶体则在"关（OFF）"的状态。它的通道必须在闸极处于适当的电压下时才会构成。82、EPIWAFER磊晶芯片

磊晶系在晶体概况长大一层晶体。

83、Epitaxy磊晶

外延附生：一种矿物的结晶附于另一矿物结晶概况的发展，这样两种矿物的结晶下层就会有一样的机关来历。

84、EPROM

EPROM（Erasable-ProgrammableROM）电子可法式只读存储器，MASKROM内所存的数据是在FAB内制造进程中便已设定好，制造完后便没法改变。就像任天堂游戏卡内的MASKROM，存的是金牌玛丽，就没法酿成双截龙。而EPROM是在ROM内加一特别结构叫AFAMDS，它可使ROM内的数据保存。但常紫外光照到它时，它会使ROM内的数据消失，每一个记忆单元都归零。然后工程职员再依法式的标准，用30伏左右的电压将0101…数据灌入每一记忆单元。如此便可灌电压，照紫光，反复利用，存入分歧的数据。也就是说假如任天堂游戏卡内利用的是EPROM，那末您打腻了金牌玛丽，就把卡匣照紫光，然后灌双截龙的法式进去。卡匣就酿成双截龙卡，不用去交换店交换了。85、静电破坏/静电放电

自然界的物资均由原子组成，而原子又由质子、中子及电子组成，在平常状态下，物资呈中性，而在平常活动中，会使物资落空电子，或获得电子﹒此即发生一静电，获得电子的物资为带负静电，落空电子即带正静电。静电巨细会随着平常的工作情况而有所分歧，以下表所示。

2.当物资发生静电后，随时会放电，若放到电子组件上，例如IC，则会将组件破坏而使不能一般工作，此即为静电破坏（ElectrostaticDamage）或静电放电（ElectrostaticDischarge）。3.避免静电破坏方式有：

• 在组件设想上加上静电庇护电路。
• 在工作情况上削减静电。例如工作桌的接地线，测试员的静电环，在输送上利用防静电胶套及海绵等等。

86、ETCH蚀刻

在集成电路的制程中，经常需要将全部电路图案界说出来，其制造法式凡是是先长出或盖上一层所需要的薄膜，再操纵微影技术在这层薄膜上，以光阻界说出所欲制造的电路图案，再操纵化学或物理方式将不需要的部分去除，此种去除步调，便称为蚀刻(ETCH)。一般蚀刻可分为湿式蚀刻(WETETCH)，及干式蚀刻(DRYETCH)两种。所谓湿蚀刻乃是操纵化学品(凡是是酸液)与所欲蚀刻的薄膜，起化学反应，发生气体或可溶性，天生物，到达图案界说的目标。而所谓干蚀刻，则是操纵干蚀刻机台发生电浆将所欲蚀刻的薄膜，反应发生气体，由PUMP抽走到达图案定表的目标。

87、蒸镀

将我们的蒸镀源放在坩埚里加热，当温度升高到接近蒸镀源的熔点四周。这时，原本处于固态的蒸镀源的蒸发才能将出格强，操纵这些被蒸发出来的蒸镀源原子，我们在其上方不远处的芯片概况上，停止薄膜堆积。我们将这类方式叫蒸镀（Evaporation）。

88、曝光

其意表略同于拍照机底片的感光在基集成电路的制造进程中，界说出邃密的光阻图形为其中重要的步调，以应用最广的5XStepper为例，其方式为以对紫外线敏感的光阻膜作为类似拍照机底片，光罩上则有我们所设想的各类图形，以特别波长的光芒(G-LINE436NM)照耀光罩后，经过缩小镜片(ReductionLens)光罩上的图形则呈5倍缩小后，切确地界说在底片上(芯片上的光阻膜)经过显影后，即可将照到光(正光阻)的光阻显掉，而获得我们想要的各类邃密图形，以作为蚀刻或离子植入用。因光阻对于某特定波长的光芒出格敏感，故在黄光室中，找将一切照明用光源过滤成黄色，以避免泛白光源中含有对光阻有感光才能的波长成份在，这一点各相关职员应出格留意，否则会发生光芒净化现象，而侵扰邃密的光阻图形。89、萃取电极

Extraction Electrode是离子植入机中用来将Source的Arc反应室中的离子以电压萃取出来的两个电极板。由电子抑制极板（Suppression Electrode） 和接地极板（Ground Electrode）两部分组成。

90、Fab晶圆厂

Fabrication为"装配"或"制造"之意，与Manufacture意义一样。半导体制造法式，其步调繁多，且制程复杂，需要有很是紧密的装备和仔细的作业，才能到达无弱点的品格。FAB系Fabrication的缩写，指的是"工场"之意。我们常称FAB为"晶圆区"，例如：进去"FAB"之前须穿上防尘衣。

91、法拉第杯

法拉第杯（FaradayCup），是离子植入机中在植入前用来丈量离子束电流的装配。

92、FieldOxide场氧化层

FieldOxide场氧化层，Field直译的意义是"场"。如活动场，足球场和武道场等的场都叫做Field。它的涵义就是一个有专门用处的地区。

在IC内部结构中，有一地区是隔离电场的地方，凡是介于两个MOS晶体管之间，称为场区。场区之上大部分会长一层厚的氧化层。

93、Filament灯丝

在离子植入机的离子源反应室里用来发生电子以解离气体用。凡是采用钨、钽及钼等高温金属。操纵直流电的加热，使灯丝概况开释出所谓"热离化电子"。

94、Filtration过滤

用过滤器（FILTER,为一半通明膜折迭而成）将液体或气体中的杂质给过滤掉，此称为Filtration（过滤）故IC制造业对干净度的要求是很是的严，故各类利用的液体或气体（包括大气）必须借着过滤以到达干净的要求。待过滤的液体及气体能经过过滤器且成功地将杂质挡下，必须借着一个pump制造压差来完成，若何挑选一组得当的过滤器及PUMP是重要的课题。

95、牢固氧化层电荷

牢固氧化层电荷（FixedOxideCharge）位于离Si-SiO2接口30?的氧化层内，凡是为正电荷。与氧化条件、退火条件及硅概况偏向有关。

96、客户拜托加工

客户拜托加工（Foundry）主如果接管客户拜托，生产客户自有权利的产物，也就是客户供给光罩，由联华来生产制造，在将制品出售给客户，只收取代工用度，这类纯洁代工，不触及销售的方式在国际间较凡是的称号就叫硅代工（SiliconFoundry）。

97、四点测针

四点测针（FourPointProbe）是量测芯片片阻值(SheetResistance)Rs的仪器。

其道理以下:上图ABCD四针，A、D间通以电流I，B、C两针量取电压差(ΔV)，则：Rs=K.ΔV/IK是比例常数，和机台及针尖间隔有关

98、FTIR

FTIR（傅氏转换红外线光谱分析仪）乃操纵红外线光谱经傅利叶转换进而分析杂质浓度的光谱分析仪器。己成长成熟，可Routine利用者，计有:

• BPSG/PSG的含磷、含硼量猜测。
• 芯片的含氧、含碳量猜测
• 磊晶的厚怀抱测

成长中需进一步Setup者有:

• .氮化硅中氢含量猜测
• 复晶硅中含氧量猜测
• 光阻特征分析

FTIR为一极便当的分析仪器，STD的建立为全部量测的重点，由于其中多操纵光学道理，芯片状态(i.e.晶背处置状态)对量测成果影响至巨

99、气体储柜

气体储柜（GasCabinet），贮存气体钢瓶的柜子，通常为处于负压状态，避免气体泄露到内部。

100、Gate

闸极

文章来历：药芯研讨所